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NXP Semiconductors
10
I RM
I RM(25 ° C)
1
PESDxL1BA series
Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
006aaa069
(1)
10 ? 1
? 100
? 50
0
50
100
T j ( ° C)
150
(1) PESD3V3L1BA; PESD5V0L1BA
For PESD12VL1BA, PESD15VL1BA and PESD24VL1BA, I RM < 20 nA at 150 ° C
Fig 7.
Relative variation of reverse leakage current as a function of junction temperature; typical values
PESDXL1BA_SER_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 20 August 2009
8 of 15
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